Grünes Licht emittierende Laser verfügen derzeit nur über begrenzte Effizienz, Leistung und Lebensdauer. EU-finanzierte Wissenschaftler konnten wichtige Fortschritte in Richtung auf neuartige Technologien verzeichnen, die das in naher Zukunft ändern könnten.
Der kristalline Halbleiter Galliumnitrid (GaN) hat dank seiner
einzigartigen optoelektronischen Eigenschaften weit die Tür zur
Realisierung grüner Laser aufgestoßen. Ergebnis dessen sind
Indium-GaN-Bauelemente (InGaN), die im grünen Spektralbereich
(Wellenlängen von ca. 510 bis 570 nm) funktionieren. Trotz aller
Fortschritte in jüngster Zeit sind hochwertige InGaN-Leucht- und
Laserdioden (LED) dennoch äußerst schwer herzustellen.
Von der EU finanzierte Wissenschaftler nahmen nun die technischen
Grundlagen für die Beseitigung der Mängel im Rahmen des Projekts
SINOPLE
in Angriff. Das Team konzentrierte sich den Einsatz der
Molekularstrahlepitaxie (Molecular Beam Epitaxy, MBE), um aktive
In-reiche InGaN-Schichten auf nahezu versetzungsfreie GaN-Einkristalle
abzuscheiden. Eine Voraussetzung für die grünen Emitter, der Einbau
großer Mengen von Indium, konnte zuvor nicht durch MBE erreicht werden.
Und es gab kein detailliertes Wissen über In-reiche
InGaN/GaN-Heterostrukturen.
Die Forscher erzielten mittels MBE ein epitaktisches Wachstum von
InGaN mit hohem In-Gehalt (bis zu 20 %) auf verschiedenen Substraten.
Die Wissenschaftler verzeichneten gleichermaßen Erfolg bei der Nutzung
von InGaN auf Zinkoxid. Im Rahmen der Geräteentwicklung realisierte das
Team außerdem eine hochempfindliche Methode zur Charakterisierung der
In-Fluktuation auf Basis von Transmissionselektronenmikroskopie mit
bisher unerreichter Genauigkeit.
Die Entdecker stellten eine Vielzahl von Lasern für den
ultravioletten, blauen und grünen Spektralbereich bereit. Das neuartige
MBE-System erleichterte das Wachstum von höherwertigem InGaN und ergab
einen Rekord für elektrisch gepumpte Nitrid-MBE-Laserdioden mit einer
Emissionswellenlänge von 482 nm.
Überdies stellte das Team Dauerstrich-Laserdioden mit einer
Wellenlänge von 450 nm, einer Leistung von 60 mW und einer Lebensdauer
von über 5 000 h her. Dieses Resultat zeigt, dass die MBE mit der
konventionellen metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (Metal
Organic Chemical Vapour Deposition, MOCVD) konkurrieren kann. Das
Verfahren gibt außerdem Raum für Flexibilität in der
Bearbeitungstemperatur sowie ermöglicht Substrate, die mit MOCVD nicht
zugänglich sind.
SINOPLE hat den Stand der Technik in Bezug auf die Fertigung grüner
LED-Laser mit höherem Wirkungsgrad, besserer Leistung und längerer
Lebensdauer bedeutend vorangebracht. Das Anwendungspotenzial für diese
schwer realisierbare kohärente Lichtquelle ist enorm. Seien es
Informationsanzeigen, Fernseher oder Biomedizinanwendungen: Hier steht
die Welt am Rande großer Veränderungen.